美光预计英伟达将在H200中使用其HBM3E高带宽内存
导读
美光科技公司6月5日表示,其HBM3E高带宽内存将用于英伟达公司的H200芯片。美光副总裁暨计算产品事业群总经理Praveen Vaidyanathan表示...
美光科技公司6月5日表示,其HBM3E高带宽内存将用于英伟达公司的H200芯片。美光副总裁暨计算产品事业群总经理Praveen Vaidyanathan表示,美光预计在截至2025年8月的业务年度内,其在HBM市场的份额将达到“20%左右”。
文章转载自:界面新闻网 非本站原创
免责声明:本文由用户上传,如有侵权请联系删除!